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NTMSD6N303R2G的图片

NTMSD6N303R2G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

原厂封装：8-SOIC

优势价格，NTMSD6N303R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMSD6N303R2G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTMSD6N303R2G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

系列：FETKY?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 24V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

器件封装：8-SOIC N

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