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NTNS3193NZT5G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 20V 230MA XLLGA3

原厂封装：3-XLLGA

优势价格，NTNS3193NZT5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTNS3193NZT5G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTNS3193NZT5G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 230MA XLLGA3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：224mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 100mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15.8pF @ 15V

功率 - 最大值：120mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：3-XFLGA

器件封装：3-XLLGA （0.62x0.62）

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