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NTQD6866R2
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NTQD6866R2技术资料
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NTQD6866R2
场效应管阵列
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
原厂封装：
8-TSSOP
优势价格，NTQD6866R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTQD6866R2的技术资料下载
NTQD6866R2的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTQD6866R2
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.7A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 6.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1400pF @ 16V
功率 - 最大值：940mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
器件封装：8-TSSOP
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