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NTQD6866R2G的图片

NTQD6866R2G

场效应管阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

原厂封装：8-TSSOP

优势价格，NTQD6866R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTQD6866R2G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTQD6866R2G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 6.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1400pF @ 16V

功率 - 最大值：940mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

器件封装：8-TSSOP

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