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NTTFS5116PLTAG
单端场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
原厂封装:
8-WDFN
优势价格,NTTFS5116PLTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTTFS5116PLTAG的技术资料下载
NTTFS5116PLTAG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTTFS5116PLTAG
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):52 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1258pF @ 30V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:8-WDFN 裸露焊盘
器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)
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