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NTTFS5116PLTWG

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

原厂封装：8-WDFN

优势价格，NTTFS5116PLTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTTFS5116PLTWG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTTFS5116PLTWG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1258pF @ 30V

功率 - 最大值：3.2W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：8-WDFN 裸露焊盘

器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）

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