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NVMFD5483NLT1G
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NVMFD5483NLT1G技术资料
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NVMFD5483NLT1G
场效应管阵列
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
原厂封装：
8-DFN
优势价格，NVMFD5483NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFD5483NLT1G的技术资料下载
NVMFD5483NLT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NVMFD5483NLT1G
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：668pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-PowerTDFN
器件封装：8-DFN（5x6） Dual Flag（SO8FL-Dual-Asymmetrical）
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