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NVMFD5873NLWFT1G

ON图标
场效应管阵列
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
原厂封装:8-DFN
优势价格,NVMFD5873NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVMFD5873NLWFT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号:NVMFD5873NLWFT1G
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):13 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • ON安森美封装:8-PowerTDFN
  • 器件封装:8-DFN(5x6) Dual Flag(SO8FL-Dual-Asymmetrical)
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