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NVMFS5C646NLT1G
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NVMFS5C646NLT1G技术资料
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NVMFS5C646NLT1G
FET - 单
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
原厂封装：
*
优势价格，NVMFS5C646NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFS5C646NLT1G的技术资料下载
NVMFS5C646NLT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NVMFS5C646NLT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Ta），93A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.7 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 33.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2164pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.7W
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
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