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NVTFS5116PLTWG
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NVTFS5116PLTWG技术资料
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NVTFS5116PLTWG
单端场效应管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
原厂封装：
8-WDFN
优势价格，NVTFS5116PLTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVTFS5116PLTWG的技术资料下载
NVTFS5116PLTWG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NVTFS5116PLTWG
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1258pF @ 25V
功率 - 最大值：3.2W
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-WDFN 裸露焊盘
器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
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