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SBSP52T1G
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SBSP52T1G技术资料
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SBSP52T1G
晶体管（BJT） - 单路
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
原厂封装：
*
优势价格，SBSP52T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SBSP52T1G的技术资料下载
SBSP52T1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: SBSP52T1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
系列: -
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）: 1.3V @ 500μA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10μA
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 2000 @ 500mA，10V
功率 - 最大值: 800mW
频率 - 跃迁: -
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
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