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SMBT35200MT1G
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SMBT35200MT1G技术资料
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SMBT35200MT1G
晶体管（BJT） - 单路
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
原厂封装：
*
优势价格，SMBT35200MT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SMBT35200MT1G的技术资料下载
SMBT35200MT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: SMBT35200MT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
系列: -
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 35V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）: 310mV @ 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 1.5A，1.5V
功率 - 最大值: 625mW
频率 - 跃迁: 100MHz
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
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