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SMMBFJ177LT1G技术资料
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SMMBFJ177LT1G
JFET结点场效应
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS JFET P-CH SOT23
原厂封装:
*
优势价格,SMMBFJ177LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SMMBFJ177LT1G的技术资料下载
SMMBFJ177LT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: SMMBFJ177LT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS JFET P-CH SOT23
系列: 自动,AEC-Q101
FET 类型: P 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS): 30V
漏源极电压(Vdss): -
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss): 1.5mA @ 15V
漏极电流(Id) - 最大值: -
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关): 800mV @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 11pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS(开): 300 欧姆
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
功率 - 最大值: 225mW
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