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SMMBFJ309LT1G
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SMMBFJ309LT1G技术资料
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SMMBFJ309LT1G
RF FET
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS JFET N-CH SOT23
原厂封装:
*
优势价格,SMMBFJ309LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SMMBFJ309LT1G的技术资料下载
SMMBFJ309LT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: SMMBFJ309LT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS JFET N-CH SOT23
系列: -
晶体管类型: N 通道 JFET
电压 - 集射极击穿(最大值): 25V
频率: -
增益: -
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: -
额定电流: -
功率 - 最大值: 225mW
噪声系数: -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: -
功率 - 输出: -
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: *
电压 - 额定: -
ON安森美封装: *
器件封装:
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