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SMUN5312DW1T1G
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SMUN5312DW1T1G技术资料
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SMUN5312DW1T1G
阵列﹐预偏压式晶体管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
原厂封装:
SC-88/SC70-6/SOT-363
优势价格,SMUN5312DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SMUN5312DW1T1G的技术资料下载
SMUN5312DW1T1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:SMUN5312DW1T1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
系列:-
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:187mW
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
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